隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,其芯片的特征尺寸變得越來(lái)越小,器件的結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,與之相應(yīng)的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細(xì)加工也變得越來(lái)越困難,傳統(tǒng)的分析手段已經(jīng)難以滿足集成電路器件向深亞微米級(jí)、納米級(jí)技術(shù)發(fā)展的需要。
元器件開蓋,開帽原理主要是通過(guò)使用化學(xué)方法或者物理方法將元器件表面的封裝去除,觀察元器件內(nèi)部的引線連接情況。在對(duì)IC封裝芯片進(jìn)行失效分析時(shí),由于芯片表面包覆有膠體,因此通常要進(jìn)行芯片開蓋處理。目前,芯片開蓋處理是利用化學(xué)藥劑將覆蓋在芯片外部的膠體腐蝕掉的一道工序,其目的在于使內(nèi)部芯片暴露在空氣中,以方便肉眼觀察和分析。芯片解密涉及到哪些技術(shù)呢?
1、探針技術(shù),是用探針在直接暴露的芯片內(nèi)部連線,使用物理連接的方法,連接到外部,并合用邏輯分析儀等工具,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采集,分析,以實(shí)現(xiàn)debug的一種技術(shù)手段。將芯片裸片固定在高倍率顯微鏡下,使用一種進(jìn)口的極細(xì)探針(細(xì)到1個(gè)um以下的量級(jí)),將探針可以連接到芯片內(nèi)部任何地方,然后對(duì)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。
2、FIB,F(xiàn)IB技術(shù)的出現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了超大規(guī)模集成電路在失效分析對(duì)失效部位的精密定位,是大規(guī)模集成電路失效分析的基礎(chǔ)。FIB技術(shù)可以在SEM高分辨率的清晰圖像下,使用離子束刻蝕,可以非常精確地在器件特定微區(qū)制作剖面,而且FIB對(duì)所加工的樣品材料沒(méi)有限制,還可以邊刻蝕邊利用SEM及時(shí)觀察進(jìn)展情況,使得加工的剖面具有極高的定位精度,由于整個(gè)過(guò)程樣品受到的應(yīng)力很小,所以,剖面具有很好的完整性。FIB都必須搭配其他失效分析工具來(lái)完成分析的工作,比如掃描式電子顯微鏡、透射式電子顯微鏡、能量分散譜儀、光發(fā)射顯微鏡等等。
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